Fil d'Ariane
Mis à jour le mardi 21 février 2017
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Introduction aux semi-conducteurs

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L'utilisation des propriétés des semi-conducteurs a révolutionné nos vies. Littéralement.

Vous avez souvent entendu :
"Le nouveau processeur de telle marque contient x millions de transistors".

Et bien un transistor est fabriqué à base de matériaux semi-conducteurs. Donc sans semi-conducteurs, pas de transistors, pas de processeur, pas d'ordinateur, de téléphone, de tablettes, de télévision, de SiteDuZero... J'évoque les processeurs, mais tous les circuits actifs actuels (analogiques comme numériques) sont fabriqués à base de semi-conducteurs. Toute l'électronique moderne les utilise. Sans eux, nous en serions certainement au calculateur 8 bit à lampes de la taille d'un hangar !

Vous comprenez bien qu'il nous faut en parler un peu, de ces fameux semi-conducteurs.

Ce chapitre contiendra des parties assez théoriques et qu'il ne sera pas nécessaire de retenir ; d'autres sections devront en revanche être bien comprises.

Un semi... quoi ?

Vous savez qu'il existe des matériaux capables de conduire le courant électrique (comme le cuivre) et d'autres qui ne le peuvent pas (comme l'air, le bois, le plastique...). Les premiers sont bien sûr appelés conducteurs et les seconds isolants.

Découvrez aujourd'hui : les semiconducteurs !

Mais qu'est-ce que c'est que ce truc-là ?

D'abord, ce n'est pas un truc, mais un matériau. Et puis je vais vous expliquer.

Pour bien comprendre ce qui fait qu'un matériau est isolant, conducteur ou semiconducteur, il faut s'intéresser un peu à la théorie quantique.

Un tout petit peu de physique quantique

Zoomons un peu... Zoomons beaucoup même ! Jusqu'à l'échelle atomique ! :-°

Image utilisateur

Un atome contient des nucléons (protons et neutrons) et des électrons. Les électrons gravitent autour d'un noyau de nucléons.

En théorie classique de la physique, ces orbites sont elliptiques (ou circulaire), selon le modèle de Bohr. Un atome ressemble à notre système solaire, avec pour Soleil le noyau de nucléons et pour planètes les électrons.

Dans la théorie quantique, les électrons n'occupent pas une place définie, mais ont une certaine probabilité d'occuper une région de l'espace autour du noyau ; cette probabilité est appelée orbitale atomique. Ces orbitales sont décrites par 3 nombres quantiques, qui définissent - avec un quatrième nombre appelé spin - l'état quantique de l'électron. Pour un état quantique donné, l'électron possède une énergie donnée, et dans un atome, il ne peut y avoir qu'un seul électron par état quantique.

Enfin, les états quantiques sont remplis par les électrons par énergie croissante. Pour l'atome d'hydrogène, ayant un seul électron, un seul niveau d'énergie sera rempli (disons $\(E_1\)$). Dans l'atome d'hélium, ayant 2 électrons, le niveau $\(E_1\)$ sera rempli, puis le niveau $\(E_2\)$ avec $\(E_1\)$.

Ouf ! Tout est dit ! :-°

Isolant, conduteur, semiconducteur

Maintenant que vous avez une vague idée du modèle quantique de l'atome, reprenons notre problématique : qu'est-ce qui rend un matériau isolant, conducteur, semi-conducteur ?

Pour cela, intéressons-nous aux valeurs que peut prendre l'énergie d'un électron.

L'énergie d'un électron

Un électron isolé, détaché de tout atome ou de tout matériau peut prendre n'importe quelle valeur d'énergie.

Dans un atome, il ne peut prendre que des valeurs parfaitement définies, multiples d'un niveau fondamental, le quantum, défini par le physicien Max Planck.

Enfin, dans un solide - ce qui nous intéresse le plus - la situation est intermédiaire : l'énergie des électron peut prendre toute valeur à l'intérieur d'un intervalle dépendant de la structure du matériau, on parle de bandes d'énergie. Il peut exister plusieurs bandes auxquelles l'énergie des électrons peut appartenir : ce sont les bandes permises. A l'inverse, il ne peut y avoir d'électrons dont l'énergie appartient aux bandes interdites.

Image utilisateur

Chaque bande peut contenir un nombre précis d'électrons et, comme je l'expliquais dans le paragraphe précédent, les bandes sont remplis d'électrons par niveaux d'énergie croissant.

A l'état fondamental de la matière, c'est-à-dire quand la température tend vers le zéro absolu (0 Kelvin ou -273,15°C), deux bandes ont un rôle particulier :

  • la bande de valence est la dernière bande d'énergie complètement remplie d'électrons ;

  • la bande de conduction est la bande d'énergie supérieure ou égale à celle de la bande de valence, mais qui n'est pas remplie.

L'énergie qui sépare ces deux bandes est appelée gap, ou band gap.

Image utilisateur

Les électrons appartenant à la bande de valence permettent la cohésion locale d'un solide ou d'un matériau : ils interagissent avec les atomes voisins pour rendre la structure stable.

Les électrons de la bande de conduction sont eux dit délocalisés : ils peuvent se déplacer au sein du matériau, d'atome en atome, pour participer à la conduction électrique.

L'impact sur les propriétés des matériaux.

Pour finalement savoir si un matériau est isolant, conducteur ou semiconducteur, il faut s'intéresser aux remplissages des bandes de valence et de conduction et à la taille du gap, à l'état fondamental de la matière.

  • Si la bande de conduction est partiellement remplie, quelque soit la taille du gap, des électrons au sein du matériau participent à la conduction électrique : le matériau est conducteur ;

  • Si la bande de conduction est vide :

    • si le gap est grand (plusieurs électrons-volt, voir ci-dessous), aucun électron du matériau ne peut participer à la conduction : la matériau est isolant ;

    • si le gap est suffisamment petit (de l'ordre de l'électron-volt), le matériau est, au repos, isolant. Mais la moindre excitation, thermique ou électrique, permet à certains électrons de la bande de valence de franchir le gap et le matériau devient conducteur. On parle alors de matériau semiconducteur.

Une dernière définition : lorsqu'un électron quitte la bande de valence pour la bande de conduction, on dit qu'il y a création d'un trou : c'est une lacune en charge négative, assimilable à une charge positive.

Ca n'a pas été facile, mais on y est arrivé ! ;)

Maintenant que vous savez ce que sont les matériaux semi-conducteurs, du moins en théorie, on va pouvoir s'amuser un peu avec !

Les éléments semi-conducteurs

Toute cette petite démonstration est fort intéressante (j'espère ;) ), mais concrètement, quels sont les éléments semi-conducteurs ?

Dans le tableau périodique des éléments

Dans le tableau périodique des éléments, les semi-conducteurs se situent dans la colonne IV.

Le Silicium, l'élément semi-conducteur le plus courant, celui dont vous avez certainement déjà entendu parler, et qui constitue la base de la très grande majorité des circuits électroniques actuels, de symbole Si, est le composant de numéro atomique 14. Cela signifie qu'un atome de silicium est entouré de 14 électrons en tout.

La colonne IV est mise en valeur dans l'image qui suit, et plus particulièrement le Silicium, encadré en rouge.

La colonne IV dans le tableau périodique des éléments - Adapté de WikipédiaLa colonne IV dans le tableau périodique des éléments - Adapté de Wikipédia

Les atomes de la colonne IV comportent 4 électrons sur leur dernière couche électronique, pour un nombre supérieure de "places" (d'après des règles quantiques que je ne détaillerai pas - croyez-moi, ça marche :-° ).

Les atomes semi-conducteurs peuvent s'ordonner en cristaux très compacts, et dans ces cristaux, les 4 places occupées se situent dans des niveaux d'énergie bas, et les places vacantes dans des niveaux plus élevés. Vous l'aurez compris, ce sont les bandes permises, et plus précisément, de valence et de conduction respectivement.

Une petite excitation (d'énergie supérieure à celle du gap) et les électrons migrent vers les niveaux plus élevés et rendent le cristal conducteur !

Quelques exemples de valeur de gap :

Largeur du gap (eV)

Carbone diamant

5,3

Silicium

1,12

Germanium

0,72

D'après les critères que nous avons établi précédemment, le Silicium et le Germanium sont d'excellent semi-conducteurs.

Vous l'aurez remarqué, le carbone est dans la colonne IV et la valeur du gap montre qu'il est isolant.

Je l'ai bien précisé : les éléments de la colonne IV ne sont pas toujours des semi-conducteurs. Ils peuvent également être isolants, comme le carbone structure diamant.

En revanche, la structure graphite du carbone, celle de vos mines de critérium, est conductrice (vous pouvez donc utiliser vos mines comme fil électrique si vous le souhaitez, mais attention, elles ne sont pas isolées, et elles chauffent car leur conductivité reste médiocre et donc l'effet Joule important). Enfin, actuellement, beaucoup de recherches se font sur les nano-tubes de carbone, une structure de carbone semi-conducteur (conductrice ?).

A l'heure actuelle, le semi-conducteur le plus utilisé est le silicium, pour une raison simple : son faible coût. Il est en effet présent à près de 25% dans la croûte terrestre, et est très facile à extraire et à traiter. Si vous ne vous rendez pas compte à quel point cet élément est abondant, imaginez-vous qu'il est le composant principal du verre. Pas convaincu ? Alors dites-vous que le sable de vos plages est composé à environ 25% de silicium pur ! Un château de sable = un ordinateur. :p

Les semi-conducteurs composés

Certains cristaux composés de différents éléments peuvent également présenter des propriétés semi-conductrices. Il existe notamment des semi-conducteurs dits III-V et II-VI. Comme vous l'aurez deviné, ils sont, dans le premier cas composés d'éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique, et dans le deuxième cas composés d'éléments de la colonne II et de la colonne VI du tableau périodique.

Les colonnes II, III, V et VI dans le tableau périodique des éléments - Adapté de WikipédiaLes colonnes II, III, V et VI dans le tableau périodique des éléments - Adapté de Wikipédia

L'association d'un élément de la colonne III et d'un élément de la colonne V (ou d'un élément de la colonne II et d'un élément de la colonne VI) peut engendrer un cristal électriquement neutre et aux liaisons atomiques stables puisqu'il y a, en moyenne, 4 pairs d'électrons par atomes. Certains arrangements sont en plus semi-conducteurs.

Voici quelques exemples de semi-conducteurs composés :

Composés III-V

Composés II-VI

Nom

Largeur du gap (eV)

Nom

Largeur du gap (eV)

Arséniure de gallium (GaAs)

1,424

Tellurure de cadmium (CdTe)

1,44

Arséniure d'aluminium (AlAs)

2,12

Oxyde de zinc (ZnO)

3,43

Nitrure de gallium (GaN)

3,43

Sulfure de zinc (ZnS)

3,54 ou 3,91 selon la structure cristalline

Phosphure de gallium (GaP)

2,66

Séléniure de zinc (ZnSe)

2,7

Nitrure de gallium-aluminium (AlGaN)

4,5eV

Tellurure de mercure-cadmium (HgCdTe)

0,5

Vous pouvez le constater, les combinaisons sont nombreuses. Beaucoup de ces composés restent à l'heure actuelle des sujets de recherche, car ils sont difficiles et coûteux à fabriquer, et leurs propriétés et capacités encore mal maîtrisées. En outre, leur application est rarement l'électronique logique ou petit signal, mais bien souvent l'optoélectronique (diodes laser, photorécepteur...) ou l'électronique de puissance.

Les semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques

Semi-conducteurs intrinsèques

Définition

Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur : le matériau est parfaitement régulier et ne contient aucune impureté.

Son comportement électrique ne dépend alors que de sa structure et de l'excitation thermique :

  • à 0 K, le matériau est isolant ;

  • plus on chauffe, plus le nombre d'électrons arraché à la bande de valence augmente et plus le matériau est conducteur.

Inconvénients

D'abord, les semi-conducteurs intrinsèques sont purement théoriques : aucune technique actuelle ne permet de fabriquer des cristaux parfaitement réguliers et parfaitement monoatomique.

Ensuite, et surtout, les semi-conducteurs intrinsèques ne sont pas intéressants car ils présentent une conductivité très faible, à moins d'être portés à très très haute température.

Cette propriété est fondamentale : pour l'industrie microélectronique, il n'est pas intéressant de chercher à fabriquer de semi-conducteurs intrinsèques, aux propriétés électroniques déplorables ; il est bien plus intéressant de contrôler le niveau d'impuretés dans le matériau pour lui donner des caractéristiques exploitables. On parle alors de dopage.

Le dopage chez les semi-conducteurs extrinsèques

Nos semi-conducteurs prennent de l'EPO ?

Mais non, le dopage est une technique qui permet à nos semi-conducteurs de "semi-conduire" plus efficacement.

Nous l'avons vu dans le paragraphe précédent, le semi-conducteur intrinsèque n'est pas exploitable. Pour pallier ces contraintes, des "impuretés" sont introduites au sein du solide lors de sa fabrication.

Ces impuretés introduites sont des atomes choisis pour leur propriétés physico-chimiques.

Prenez 1g de Silicium, ajouter 100mg de Gallium...

La recette utilisée lors de la fabrication d'un matériau semi-conducteur extrinsèques est extrêmement importante :p . La quantité d'impuretés notamment influe beaucoup sur les propriétés du solide.

De manière générale, les impuretés restent très peu nombreuses par rapport au cristal pur.

Prenons l'exemple du Silicium, le semi-conducteur le plus utilisé à l'heure actuelle.
Un cristal de Silicium pur contient environ $\(5\cdot 10^{22}\)$ atomes par $\(cm^3\)$. Lors de la fabrication de Silicium extrinsèque, on ajoute entre $\(10^{16}\)$ et $\(10^{22}\)$ impuretés par $\(cm^3\)$, soit 1 impureté pour 100 à un million d'atomes de Silicium.

Si les impuretés sont trop nombreuses (plus d'une impureté par atome de semi-conducteur intrinsèque), le solide est dit dégénéré, et ses propriétés sont difficilement utilisable.

Dans le reste de cette partie, on ne considérera que des semi-conducteurs non dégénérés.

L'influence des impuretés

Ces impuretés, avec leur cortège électronique, introduisent au sein du matériau de nouveaux niveaux d'énergie. Si ces niveaux se trouvent dans les bandes permises du semi-conducteur intrinsèque, les impuretés n'ont aucun impact sur les propriétés du semi-conducteur ; tout se passe comme si elles n'existaient pas. En revanche, si les niveaux se trouvent dans la bande interdite, les impuretés modifient considérablement les propriétés du semi-conducteur.
Si celui-ci n'est pas dégénéré, il est dit dopé et les impuretés sont appelées dopants.

Propriétés des dopants

Souvenez-vous qu'un cristal de semi-conducteur intrinsèque est, à l'état fondamental, électriquement neutre, car les 4 électrons de la couche externe appartiennent à la bande de valence. Ils assurent la cohésion du cristal : avec leurs petits bras musclés, les électrons d'un atome tiennent la main aux électrons des autres atomes autour pour que la structure reste stable. :p Plus sérieusement, les atomes mettent les électrons de leur bande de valence en commun, ils se les partagent, de façon à avoir 8 électrons sur leur couche externe, la configuration la plus stable qui soit (j'avais déjà fait une remarque là-dessus :-° ).

On introduit alors des dopants, qui n'ont pas le même nombre d'électrons sur leur couche de valence.

S'ils en ont plus, 4 de ces électrons vont se lier avec leur petits copains des atomes de silicium autour d'eux, bien plus nombreux, et les autres resteront libres autour de l'atome. Le cristal ne sera donc plus neutre, mais possédera un excédent d'électrons.

A l'inverse, si le dopant à moins de 4 électrons sur sa couche de valence, ces 1, 2 ou 3 électrons se lieront tant bien que mal aux atomes autour, mais un ou des électrons des atomes de silicium seront orphelins. Encore une fois, le cristal ne sera plus neutre, mais présentera un manque d'électrons.

Les dopants sont choisis pour les niveaux électroniques qu'ils introduisent au sein du cristal, et aussi pour leur habilité à ne pas déstabiliser la structure cristalline du matériau et en altérer les propriétés mécaniques. Ainsi, on ne peut pas se permettre d'utiliser des éléments possédant plus d'un électron en plus ou en moins que le silicium.

Les différents dopages

Il existe donc deux types de dopants, donnant au semiconducteur des propriétés électroniques différentes :

  • des dopants appartenant à la colonnes III du tableau périodique, possédant un électron de moins que le silicium ;

  • des dopants appartenant à la colonne V du tableau périodique, possédant un électron de plus que le silicium.

Les éléments dopantsLes éléments dopants

Dopage de type N

Le dopage de type N consiste à introduire dans le cristal de semi-conducteur des atomes appartenant à la colonne V, qui possèdent donc 5 électrons sur leur couche de valence. On appelle ces éléments des dopants N.

Lorsqu'un dopant N et un semi-conducteur comme le silicium entre en contact, ils cherchent à partager des paires d’électrons. Ils peuvent ainsi partager chacun 2 paires d'électrons, pour posséder chacun 8 électrons sur leur couche externe.

Un électron du dopant est donc orphelin : il ne peut être partagé, et il ne peut occuper la bande de valence (elle est remplie). Il quitte donc l'atome et devient un électron libre - ou délocalisé -, capable de conduire le courant.

Le cristal présente donc un excès d'électrons, chargés négativement. Le semi-conducteur est donc dit dopé N, N pour Négatif.

Dopage de type P

Le dopage de type P consiste lui à introduire dans le cristal des atomes appartenant à la colonne III, qui possèdent 3 électrons sur leur couche de valence.

Dans le cristal, les atomes de silicium et de dopants P présentent alors 7 électrons sur leur couche externe. Il manque un électron sur cette couche. Cette absence d'électrons, et donc de charge négative, est considéré comme une charge positive, ou trou.

Cette nouvelle structure peut également conduire le courant. En effet, sous l'action d'un échauffement, d'une différence de potentiel..., un atome en manque d'électron peut en recevoir un d'un autre atome, qui devient alors déficitaire en électron. Il y a eu un mouvement d'électron d'un atome vers un autre (ou un mouvement de trous dans l'autre sens), par définition, un courant électrique.

Finalement, le cristal présente donc un défaut d'électrons, ou un excès de trous, chargés positivement. Le semi-conducteur est donc dit dopé P, P pour Positif.

Une structure qui possède des électrons en trop, une autre à qui il en manque... Et si on les met en contact, ça fait quoi ?

Excellente question ! C'est ce que nous allons aborder à présent !

La jonction PN

Que se passe-t-il à une jonction PN ?

Définition

Une jonction PN représente la mise en contact d'une surface de cristal de semi-conducteur dopé P avec une surface de cristal de semi-conducteur dopé N. Cette structure permet de réaliser des diodes, dont vous verrez le fonctionnement et l'utilité dans un prochain chapitre.

Phénomène de diffusion

Intéressons-nous pour le moment à une jonction PN simple, sans quantification du dopage.

Pour vous représenter la structure, voici une (jolie ?) image :

Jonction PN
Jonction PN

Nous avons donc :

  • à gauche, une zone P, contenant des trous.

  • à droite, une zone N, contenant des électrons libres.

Lorsque les deux surfaces sont mises en contact, une partie des trous et des électrons se diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction :

Diffusion des porteurs de charges
Diffusion des porteurs de charges

A la jonction, un peu à gauche et un peu à droite, les porteurs de charges, c'est-à-dire les électrons et les trous, se neutralisent. A l'équilibre, il existe donc une zone sans charge mobile, appelée zone de déplétion ou (plus souvent) zone de charge d'espace (abrégée ZCE) ; une différence de potentiel entre la zone N et la zone P, appelée potentiel de jonction apparaît également à l'équilibre. Pour les diodes à base de Silicium, ce potentiel est de l'ordre de 0,6V.

La ZCE peut être plus large d'un côté ou d'un autre selon les concentrations relatives en électrons et en trous. Si les trous sont en plus grandes proportion que les électrons, ils se diffuseront plus et la ZCE sera plus large dans la zone N que dans la zone P. Inversement, si les électrons sont majoritaires par rapport aux trous, la ZCE sera plus large dans la zone P que dans la zone N.

Si les zones N et P sont de très bons conducteurs (comment ça pourquoi ? je viens de vous l'expliquer ! ;)), on se trouve ici à la jonction avec une zone sans porteur de charge, et donc quasiment isolante.

Ça veut dire quoi "quasiment isolante" ?

Excellente question ! En réalité, la ZCE agit comme une résistance. Plus la ZCE est large, plus la résistance est grande. A l'inverse, plus la ZCE est étroite, plus la résistance de la jonction est faible.

Et ce qu'il y a d'intéressant, c'est que la largeur de la ZCE ne dépend pas seulement des concentrations des porteurs de charge, mais aussi de la polarisation de la jonction.

Polarisation d'une jonction et application

D'abord, qu'est-ce que la polarisation d'une jonction ? Il s'agit tout simplement du branchement d'un générateur de tension de part et d'autre de la jonction.

Il est parfaitement possible de relier la borne positive du générateur à la zone P et la borne négative à la zone N, tout comme faire l'inverse. Selon le sens du branchement, on parlera de polarisation directe ou polarisation inverse, et le comportement de la jonction sera complètement différent.

Polarisation inverse

On dit que la jonction est polarisée en inverse lorsque le pôle positif du générateur est connecté à la zone N de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone P :

Polarisation inverse d'une jonction PN
Polarisation inverse d'une jonction PN

Au moment où on connecte le générateur, une partie des électrons de la zone N se détache et est attirée vers la borne + du générateur. Au même moment, des électrons sont émis par la borne négative du générateur et se combinent avec des trous de la zone P.

Mais le nombre de trous dans la zone P est limité et il n'existe pas de trous dans la zone N pouvant migrer dans la zone P pour remplacer ceux qui ont disparu. Les électrons cessent donc de migrer de la borne - du générateur vers la zone P.
De même, le nombre d'électrons dans la zone N est limité et il n'existe pas d'électrons dans la zone P pouvant migrer vers la zone N pour remplacer ceux qui ont disparu. Les électrons cessent donc de migrer de la zone N vers la borne + du générateur.

Finalement, aucun courant ne circule dans le circuit lorsqu'il est polarisé en inverse. La jonction est dite bloquée.

Polarisation directe

On dit que la jonction est polarisée en direct lorsque le pôle positif du générateur est connecté à la zone P de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone N :

Polarisation directe d'une jonction PN
Polarisation directe d'une jonction PN

Au moment où on connecte le générateur, les électrons de la zone N et les trous de la zone P convergent vers la jonction sous l'effet de la force électromotrice du générateur. A la jonction, les trous et les électrons se combinent et disparaissant.

Néanmoins, les électrons libres de la zone N qui disparaissent sont continuellement remplacés par d'autres électrons provenant de la borne négative du générateur. De la même façon, les trous de la zone P qui disparaissent sont remplacés par d'autres en provenance de la borne + du générateur.

Il existe finalement un flux continu des charges dans le circuit : un courant continu s'établit dans un circuit polarisé en direct.

On appelle courant direct Id le courant dans le cristal et tension directe Vd la tension du générateur à l'origine de l'apparition de Id.

Mais ne faut-il pas prendre en compte le potentiel de jonction ?

Je félicite ceux qui se seront posés la question ! L'explication précédente est en fait une simplification (généralement suffisante) du comportement réelle des jonctions.

Souvenez-vous qu'à l'équilibre, il existe une différence de potentiel entre les zones N et P, d'environ 0,6V pour les jonctions à base de silicium.

Or en polarisation directe, nous appliquons une différence de potentiel dans l'autre sens. Que se passe-t-il donc si la tension du générateur est inférieure au potentiel de jonction ?

La réponse est simple : tant que Vd est inférieure à 0,6V, la jonction reste bloquée, car le générateur ne fournit pas assez d'énergie aux porteurs pour générer un courant.

Conclusion

Une jonction PN :

  • bloque le courant si elle est polarisée en inverse ;

  • permet le passage du courant pour une polarisation directe supérieure au potentiel de jonction.

Voici finalement la caractéristique d'une jonction PN :

Caractéristique d'une jonction PN simple à base de Silicium
Caractéristique d'une jonction PN simple à base de Silicium

L'explication des différentes courbures nécessite d'entrer beaucoup plus en profondeur dans la théorie des semi-conducteurs. Si vous ne retenez que l'allure de cette caractéristique, cela vous suffira pour comprendre l'immense majorité des circuits contentant des diodes.

Des diodes ?

Et oui ! En réalité, une jonction PN est une diode. :p Vous verrez dans la partie suivante comment les utiliser. Et dans une autre partie, vous ferez connaissance avec les transistors NPN et PNP. Vous le devinez : ce ne sont "que" deux jonctions tête bêche ! Mais chaque chose en son temps...

Dans ce long chapitre, vous vous êtes familiarisés avec la théorie des semi-conducteurs. La mise en place d'une telle théorie n'est pas chose aisée. J'espère avoir été le plus clair possible.

Quoi qu'il en soit, ne vous inquiétez pas si vous n'avez pas absolument tout retenu. Essayez de comprendre le fonctionnement des jonctions, c'est ce qui vous sera le plus utile pour la suite du cours.

Bon courage, les choses sérieuses commencent ! :-°

Exemple de certificat de réussite
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