J'ai vu que les circuits de charge de condensateurs dans les appareils photos étaient formés de ce qu'ils appellent un "oscillateur bloqué". De ce fait il n'y a pas de composant oscillant visible tel qu'un ne555 par exemple. Ce type d'oscillateur semble très performant par rapport à un chargement qui fait simplement osciller le transfo par le biais de transistors.
En voici deux exemples :
(Pour le 2e, seule la partie oscillateur, à gauche, nous intéresse).
Pourriez-vous m'expliquer le fonctionnement de ce système ?
Cependant, je ne trouve pas de formules permettant de donner la valeur de la résistance en série avec le primaire et la base du transistor, ou encore une permettant de calculer la fréquence du système. Pourriez-vous m'aider ?
En effet, cet oscillateur dit "à blocage" est typiquement utilisé dans le "Joule thief". D'ailleurs, il se nomme ainsi... Concernant la valeur de la résistance monté en série avec le secondaire du transfo (et non le primaire ! - sachant que ce dernier est pris sur la jonction collecteur/émetteur du transistor), celle-ci sera dépendante de la tension d'alimentation du montage et de l'intensité passant à travers la jonction base/émetteur. La présence de la bobine (secondaire) du transfo dans le circuit de la base n'aura que peu d'influence dans les calculs. Concernant ces derniers, il suffit d'appliquer la loi d'Ohm en tenant compte de la chute de tension de la jonction base/émetteur (environ 600mV pour un transistor au silicium).
En gros, si (par exemple) le montage fonctionne sous 5Vdc, il suffira de retrancher la tension base/émetteur de celle de l'alimentation : on trouvera donc 4,4V. Puis, on la divisera par l'intensité (souhaitée) passant par la jonction concernée. Par exemple, pour un transistor référencé BC547 (ou proche équivalent), la jonction base/émetteur peut rendre le transistor suffisamment conducteur avec une intensité de 400 à 500µA. Une résistance de 10kohms pourra faire l'affaire... Sinon, essayez avec des valeurs assez proche (tout en évitant de descendre à 1kohm pour ne pas griller la jonction, même si la présence du bobinage secondaire peut avoir une légère influence dans les calculs).
En résumé, il faut appliquer la règle suivante : Ibe = U / Z, avec Ibe représentant le courant circulant dans la jonction base /émetteur. Z représentant l'impédance du système (au secondaire), où Z² = R² + Lw², sachant que si ce dernier terme (Lw²) peut (éventuellement) être "négligé", alors Z = R.
Si cela ne peut être fait, alors, il faudra introduire le facteur Lw, tel que L représentant l'inductance du secondaire, et w la pulsation du courant.
Concernant la valeur de la fréquence du signal émise par cet oscillateur à blocage, elle est difficile à obtenir de manière pratique, sans expérimenter le système. Chacun sait qu'un oscillateur utilisant une bobine seule, ne peut fonctionner (même avec une bonne rétroaction du transistor). Il faut pour cela employer une cellule LC. Ici, la capacité C du condensateur équivalent est celle répartie au sein de chaque spire des deux bobinage du transfo, mais surtout au secondaire (circuit base/émetteur). C'est précisément ce qui conditionnera la fréquence du régime (en tout ou rien) du transistor. Cette capacité (C) n'est rien de plus qu'une capacité parasite (inter-spire). Généralement, ce type d'oscillateur génère un signal de forme (à peu près) carrée, mais travaille systématiquement en basse fréquence (et non en HF, comme on pourrait le supposer...). Ce signal étant de l'ordre de quelques dizaines de kHz.
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Passionné d'électronique depuis mes 10 ans...
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