Les circuits électroniques, que vous connaissez certainement sous le nom de « puces électroniques », sont vos alliés au quotidien. La plupart des objets que vous utilisez comme vos smartphones, montres connectées, ordinateurs, consoles de jeux, téléviseurs, scooters, voitures, sont remplis de microprocesseurs, circuits mémoires, circuits radiofréquence, circuits numériques…

Mais que renferment ces drôles de boîtiers noirs que l’on trouve sur les cartes électroniques ?
Il existe une grande variété de boîtiers. Ils diffèrent par leur technologie, leur taille, la géométrie et le nombre de broches d’entrées/sorties disponibles. Ils contiennent tous un ou plusieurs circuits intégrés (ou puces électroniques, si vous préférez).

Mais que renferment les circuits intégrés que l’on trouve dans ces boîtiers ?
La brique de base du circuit intégré est le transistor. C’est un circuit actif dont nous examinerons le comportement dans la section suivante. On y trouve aussi des capacités, des résistances, des inductances, des diodes et des interconnexions.

Un brin d’histoire
La technologie CMOS (Complementary Metal-Oxyde-Semiconducteur) joue un rôle prédominant dans l’industrie du circuit intégré. Cette technologie n’est pas nouvelle.
Le transistor MOS a été inventé par J. Lilienfeld en 1925 et une structure semblable au MOS actuel fut proposée en 1935 par O. Heil.
En 1948, John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, trois physiciens américains, inventent un autre type de transistor : le transistor bipolaire. Pendant plusieurs années, le transistor bipolaire a prédominé sur le transistor MOS jusqu’à l’apparition du procédé de silicium planaire, dans les années 60, qui a permis d’assembler plusieurs transistors sur un même substrat.
Aujourd'hui le transistor MOS constitue, par sa simplicité de fabrication et ses performances, l'élément de base des circuits intégrés.
Les transistors MOS
Le transistor MOS est un composant actif ayant 3 broches principales nommées Gate (appelée Grille en français), Drain et Source.
Pour des applications numériques, il fonctionne comme un interrupteur commandé par la Grille et permettant au courant de passer de la Source vers le Drain. Il est soit en mode ON (le courant circule de la Source vers le Drain) soit en mode OFF (aucun courant ne circule dans le transistor).
Il existe deux types de transistors : le NMOS et le PMOS.
Leur différence réside dans leur fabrication, notamment la manière dont les matériaux semi-conducteurs sont exploités. Nous nous contentons ici de décrire leur fonctionnement simplifié pour une utilisation dans le monde du numérique.

La technologie CMOS
La technologie CMOS (Complementary MOS) est aujourd’hui la plus répandue, en particulier pour la conception de circuits numériques. Elle se caractérise par l’utilisation, sur un même substrat de silicium, de transistors NMOS et PMOS assemblés de manière complémentaire.

Cette technologie permet de réaliser simplement l’ensemble des fonctions logiques que l’on retrouve à la base des circuits numériques. Vous comprendrez dans la suite de ce chapitre comment assembler des transistors PMOS et NMOS pour réaliser les fonctions logiques les plus répandues.
L’inverseur CMOS
L’inverseur est probablement la porte logique la plus simple et la plus utilisée dans la conception de circuits numériques.
L’inverseur CMOS est constitué de deux transistors, un NMOS et un PMOS, connectés en série entre l’alimentation qui constitue le 1 logique et la masse qui représente le 0 logique.


lorsque l'entrée de l'inverseur est au niveau logique Bas (0), seul le transistor PMOS est passant. Un courant circule de l'alimentation VDD vers la sortie OUT et charge la capacité de sortie. La tension de sortie aux bornes de la capacité équivaut alors à un niveau logique haut (1) ;
lorsque l'entrée de l'inverseur est au niveau logique haut (1), seul le transistor NMOS est passant. Le courant se décharge de la capacité de sortie vers la masse et la tension aux bornes de la capacité diminue jusqu’à atteindre le niveau logique bas (0).
La porte NAND à deux entrées
La porte NOR à deux entrées
Les portes NAND et NOR à trois entrées
Vous avez découvert les portes NAND et NOR à trois entrées dans le chapitre 2 de la partie 3.
Dans le même esprit que les portes à deux entrées, celles à trois entrées sont composées de 3 transistors PMOS et trois transistors NMOS connectés en parallèle ou en série, comme indiqué sur la figure suivante.

Les portes AND et OR
Les porte AND et OR requièrent, étrangement, plus de transistors que les portes NAND ou NOR. En effet, vous remarquerez sur les schémas ci-dessous, que chacune de ces portes contient 6 transistors.
La porte AND est composée d’une porte NAND suivie d’un inverseur.
La porte OR est composée d’une porte NOR suivie d’un inverseur.


La porte XOR
Vous avez découvert la porte XOR à deux entrées dans le chapitre 1 de la partie 3. Il existe plusieurs façons d’implémenter cette porte à base de transistors MOS.

En partant simplement de la table de vérité, on peut traduire l’équation logique
en un assemblage de portes logiques (2 inverseurs, 2 AND et 1 OR) qui nous conduit à un circuit à 22 transistors (11 NMOS et 11 PMOS).
Si vous souhaitez économiser un nombre important de transistors, la structure la plus économe sera celle à 6 transistors. Malheureusement, cette économie se fera au détriment de la qualité des signaux de sortie. En effet, avec un simulateur analogique, vous remarquerez que vos signaux n’atteignent pas de bons niveaux logiques.

Exercice : je vous invite à tester ces implémentations avec DSCH.
En résumé
Tester des circuits réels suppose un laboratoire équipé dont vous ne disposez pas à priori. Pourtant, nous allons tout de même faire tourner de tels circuits, mais en simulation. Le chapitre suivant va nous introduire à la simulation, par l'intermédiaire d'un logiciel que vous pourrez télécharger librement : DSCH.