Bonjour,

j'ai continué comme vous le savez à crée mon bout de calculette électronique et je me heurte à un problème sur les transistor NPN

que j'utilise,et particulièrement sur ce qui semble être un courant de fuite de mes transistors qui ne se bloque pas et laisse passer le courant entre ma base et mon emetteur, je me tourne alors vers vous pour vous demander conseil.

ce probleme m'empêche de faire fonctionner une porte ET maison

PS:mon montage utilise une pile lithium polymere 3.7V

Merci d'avance

Bonjour,

avec un bout de schéma ce serait plus facile de voir ce qui cloche.

même pas besoin du shémas entre le truc est très simple, un transistor seul NPN, ont l'alimente et comment se fait t'il que sa base sur le quel il y a un courant puisse mettre le transistor en saturation alors même qu'il n'y a pas de courant sur le collecteur. c'est sa que je ne comprend pas

Un transistor NPN saturé a obligatoirement un courant de collecteur. Sans schéma et sans la manière dont la saturation est déterminée comment peut-on aider ?

ben j'ai beau faire des mains et des pieds mon courant V2 passera toujours par mon emetteur meme si il n'y a pas de courant sur mon collecteur

personne?

En même temps, c'est tout à fait logique.

Un transistor laisse passer le courant de sa base vers l’émetteur (avec une chute de tension Vbe=0.6V) tout en amplifiant ce courant (par un coeff beta=200) entre le collecteur et l'emtteur.

A supposer que Vc = 0V,il n'y ne peut y avoir aucun courant sur le collecteur, le transistor ne peut donc rien amplifier mais ça ne l’empêche pas de laisser passer du courant de la base vers l'émetteur.

Dans ce cas, on dit tout simplement que le transistor est saturé (il n'est plus dans son domaine linéaire d'amplification).

Pour résumer, sur un transistor NPN :

- le courant entre la base et l'émetteur passe toujours.

- le courant entre le collecteur et l'émetteur passe en fonction du courant de la base (il passe environ 200 fois plus de courant C=>E que de courant B=>E)

Quelle genre de porte cherches tu à faire ? (porte AND ? porte OR ? porte NAND ? porte NOR ? autre ?)

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Edité par lorrio 29 mars 2015 à 18:12:20

porte AND sachant que j'ai aisément réussi à faire une porte NON

Sur internet, tu trouveras généralement ce genre de montage pour une porte AND :

Alors oui, ça ressemble beaucoup à ton schéma, mais la résistance de 4.7K apporte quand même une grosse différence

En effet, cette résistance a pour but de ramener drainer le signal de sortie à la masse, même lorsque le transistor B laisse passer un peu de courant.

Bien sur, c'est loin d'être parfait comme montage montage car on va retrouver à peut prêt les niveau suivants :

- A et B = 0V => sortie = 0V

- A=0 et B=VCC => sortie = 0V

- A=VCC et B=0 => sortie = environ 1V (peut être considéré comme 0V mais ce n'est pas parfait)

- A et B = VCC => sortie = VCC-2*Vbe = VCC - 1.2V (peut être considéré comme VCC mais ce n'est pas parfait)

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Une véritable porte se fait généralement avec de nombreux transistor (généralement des MOS) canal N mais aussi canal P.

Le schéma d'une porte AND :

o putain c plus complexe qu'il n'y parait Oo d’ailleurs je ne comprend pas trop le schémas surtout sur le faite que

comment sur le transistor Q3 la moitié du drain puisse être capté ainsi étrange oO

mais je me demandais un truc aussi ont dit que ic = beta ib mais alors cela veut dire que je n'est pas à me soucier du courant qui arrive sur Ic ? genre je peux y mettre 24v sans protection puisque de toute façon c le courant de la base multiplier par le gain du transistor qui fera foi non?

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Edité par charly33 29 mars 2015 à 23:42:51

Q3 et Q4 sont de type N, cela signifie qu'ils sont fermer lorsque Vgs est supérieur à VgsMin (typiquement quelque volt).

Pour que le point centrale (Q1,Q2,Q3) soit à LOW, il faut impérativement que Q3 et Q4 soit fermé et donc que A=VCC et B=VCC

A l'inverse, Q1 et Q2 sont de type P donc pour être fermé, il faut que Vgs soit négatif.

Comme le S de ces transistors est connecté à VDD, si A=0, alors Q1 se ferme et le point central vaut VDD ; idem si B=0

Bref, cela forme donc une porte AND, qui est ensuite inversée par Q5 et Q6.

A la limite, tu pourrais remplacer Q1 et Q2 pour une résistance de pull Up, ainsi que Q5 par une autre résistance mais ça fonctionnera moins bien.

En effet, une résistance s'oppose au passage du courant donc la communication sera lente et l'impédance de sortie forte.

Avec un transistor, la commutation est ultra rapide et l'impédance de sortie est presque nulle (par exemple, tu peux brancher une LED en sortie, ça marchera très bien, ce qui ne sera pas le cas avec la résistance).

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Oui, on a bien Ic = b * Ib.

Imaginons que tu utilises le transistor de la façon suivante :

- courant Ib = 0.1mA

- tension Vc = 24V

- résistance de charge sur l'émetteur de 100ohm

Dans la résistance, il va traverser Ib+Ic soit 0.1+200*0.1= 20.1mA

De ce faite, la tension aux bornes de cette résistance sera de R*I = 100*0.0201 = 2.01V

Dans ce cas là, la tension au point E ne monte pas énormément et c'est le transistor qui encaisse les 22V de trop => il chauffe !!!

Par contre, si tu passes la résistance de charge à 10k, alors sa tension devrait être U = 10000*0.0201 = 201V

Bien évidement, ce n'est pas possible puisqu'il n'y a que 24V sur Vc donc la tension au point E montera jusqu'à 24V et le transistor sera saturé.

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Edité par lorrio 30 mars 2015 à 8:18:05

ok mais je ne comprend pas un truc dans ton explication, d’où une tension peut faire chauffer un transistor? c'est le courant qui est responsable de la température, non? puisque RI² = J

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Edité par charly33 30 mars 2015 à 14:39:29

La puissance que dissipe un composant se mesure avec la somme des produits U * I de toutes les combinaisons possibles.

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Dans l'exemple du transistor que j'ai donné précédemment, cela donne donc :

1/ Du collecteur vers l'émetteur :

- il y a un courant I = beta*Ib = 200*0.1 = 0.02A = 20mA

- il y a une tension U = Vc - Ve = Vc - Ur = 24 - 2.01 = 21.99V

=> le transistor encaisse 20mA sous 21.99V donc il chauffe d'une valeur P = U*I = 21.99*0.02 = 0.4398W = 440mW

2/ De la base vers l’émetteur :

- il y a un courant I = Ib = 0.1mA

- il y a une tension U = Vbe = 0.6V (typique)

=> le transistor encaisse 0.1mA sous 0.6V donc il chauffe d'une valeur P = U*I = 0.6*0.001 = 0.0006 W = 0.6mW

Quand on additionne les 2, on trouve donc que le transistor chauffe de 440.6mW, ce qui n'est pas rien ! (il chauffe beaucoup)

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Lorsque le transistor est saturé, on a Vc = Ve donc la puissance 1/ (collecteur vers émetteur) vaut 0.

Il ne reste alors que la puissance 2/ (base vers émetteur) qui est généralement très faible.

Donc le transistor ne chauffe que très peu.

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Concernant la résistance, on a P = U * I = 2.01 * 0.0201 = 0.0404W = 40.4mW

Elle chauffe un peu mais bien moins que le transistor

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Edité par lorrio 30 mars 2015 à 16:18:09

a oki merci beaucoup pour ton aide